Mywayプラス株式会社 ツール事業部 CAE製品チーム 森下 志野 様
パワーエレクトロニクス機器は小型化、高効率化のためワイドバンドギャップ半導体(SiCやGaN)を用いた製品開発が進められています。ワイドバンドギャップ半導体を用いることでインバータのスイッチング周波数を高くすることができ、受動部品を小型化してシステム全体を小さくすることができますが、一方でスイッチングデバイスは発熱し、部品の劣化、効率低下、信頼性の低下を引き起こすため、十分な熱設計を行う必要があります。
本講演ではSiCデバイスを用いたインバータの熱シミュレーション事例を紹介します。